Rambus weet HBM2E-geheugen tot 4,0 Gb/s te brengen

Rambus heeft aangekondigd dat het de snelheidsgrens voor hbm2e heeft weten te verhogen. Het nieuwe record ligt nu op 4,0 Gb/s per pin.
SK Hynix maakte een jaar geleden bekend dat het een snelheid van 3,6 gigabit per seconde per pin wist te bereiken, terwijl het afgelopen juli is begonnen met de massaproductie van dit geheugen. Samen met SK Hynix en het Taiwanese Alchip heeft Rambus de grens verder weten te verhogen.
De hoge snelheden zijn volgens de verkoper van chipontwerpen behaald op TSMC’…